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  • 【名师讲座】多极反铁电半导体Cu2Se阻变机理的原位电镜研究

    发布日期:2022-09-27     浏览次数:次   

    名师讲座

     

    报告题目:多极反铁电半导体Cu2Se阻变机理的原位电镜研究

    报告时间2022-09-27 15:00

    报告人: 吴劲松 教授

    武汉理工大学

    报告地点:思明校区 化学楼234会议室(现场讲座)

     

    报告摘要:

      具有快离子导体特征的半导体材料如Cu2SeAg2Se等在外温度场和电场的作用下会由于铜和银离子的快速迁移,而产生独特的相变特征和物理性能。得益于原位透射电子显微学的迅速发展,能够对材料在外场作用下的结构动态演变进行直接观察。我们利用原位电子显微学来研究了具有离子导体特征的半导体材料在温度、外加电压作用下产生的相变和电阻变化,以探索它们的电阻变化机理。我们用原位电镜研究了Cu2Se在加热,外加电场作用下的微结构变化。通过准确的原子位置测量,我们确定了在其结构中存在自发的内建电场,是一种反铁电半导体,并研究了其电阻随外加电场的变化规律。

    报告人简介:

      吴劲松教授,武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,纳微结构研究中心执行主任,国家海外高层次特聘专家(2021),国家基金委外国资深学者研究基金项目获得者(2022-2024)。博士期间师从中国著名电子显微学家郭可信院士从事电子显微学和准晶结构的研究。博士毕业后相继在法国、德国和美国的世界著名电镜中心工作并从事电子显微学研究20多年,获得2016年美国电镜学会技术奖(Professional Staff Award from Microscopy Society of America),于2017-2018年任美国中西部电子显微学学会主席(President of Middle-West Microscopy Society of America),现任中国电子显微学会理事,在电子晶体学、电子显微学三维重构、原位电子显微学、定量电子衍射、电子能量损失谱分析和应用等研究领域有很多创新和贡献。吴劲松教授在电子显微学领域发展的新方法,使材料的结构表征从原来静态的表征发展到动态的观察;从二维的表征发展到到三维的重构;从测量看得到的强度,到解决看不到的相位(从而确定材料的磁、电和光学性能)。2018年回国后,主要发展了原位高分辨电子显微学,并应用于研究电池电极材料充放电机理和半导体忆阻器电阻变化机理;主持项目8项,其中国外5项,回国后国家自然科学基金2项、三星电子国际研究基金1项,作为核心骨干参与国家重点研发计划项目1项。已在ScienceNature MaterialsNature NanotechnologyNature CatalysisMatterNature CommunicationsAdvanced MaterialsACS NanoAdvanced Functional MaterialsNano Energy等重要国际期刊发表了SCI论文220余篇。

     

     

    欢迎老师同学们积极参加!

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